定義
現在假想把所有的費米子從這些量子态上移開。之後再把這些費米子按照一定的規則（例如泡利不相容原理等）填充在各個可供占據的量子态上，并且這種填充過程中每個費米子都占據最低的可供占據的量子态。最後一個費米子占據着的量子态 即可粗略理解為費米能級。
雖然嚴格來說，費米能級等于費米子系統在趨于絕對零度時的化學勢；但是在半導體物理和電子學領域中，費米能級則經常被當做電子或空穴化學勢的代名詞。一般來說，“費米能級"這個術語所代表的含義可以從上下語境中判斷。
物理意義
對于金屬，絕對零度下，電子占據的最高能級就是費米能級。費米能級的物理意義是，該能級上的一個狀态被電子占據的概率是1/2。在半導體物理中，費米能級是個很重要的物理參數，隻要知道了它的數值，在一定溫度下，電子在各量子态上的統計分布就完全确定了。
它和溫度、半導體材料的導電類型、雜質的含量以及能量零點的選取有關。n型半導體費米能級靠近導帶邊，過高摻雜會進入導帶。p型半導體費米能級靠近價帶邊，過高摻雜會進入價帶。将半導體中大量電子的集體看成一個熱力學系統，可以證明處于熱平衡狀态下的電子系統有統一的費米能級。
作用
作為費米-狄拉克分布函數中一個重要參量的費米能級EF，具有決定整個系統能量以及載流子分布的重要作用。
①在半導體中，由于費米能級（化學勢）不是真正的能級，即不一定是允許的單電子能級（即不一定是公有化狀态的能量），所以它可以像束縛态的能級一樣，可以處于能帶的任何位置，當然也可以處于禁帶之中。
對于絕緣體和半導體，費米能級則處于禁帶中間。特别是本征半導體和絕緣體，因為它們的價帶是填滿了價電子（占據概率為100%）、導帶是完全空着的（占據概率為0%），則它們的費米能級正好位于禁帶中央（占據概率為50%）。即使溫度升高時，本征激發而産生出了電子-空穴對，但由于導帶中增加的電子數等于價帶中減少的電子數，則禁帶中央的能級仍然是占據概率為50%，所以本征半導體的費米能級的位置不随溫度而變化，始終位于禁帶中央。
②費米能級實際上起到了衡量能級被電子占據的概率大小的一個标準的作用。在E
在溫度不很高時，EF以上的能級基本上是空着的（例如，導帶就是如此，其中的自由電子很少），EF以下的能級基本上是被電子填滿了的（例如，價帶就填滿了價電子，其中的自由空穴很少）；在EF以上、并越靠近EF（即E-EF越小）的能級，被電子所占據的概率就越大。對于n型半導體，因為導帶中有較多的電子（多數載流子），則費米能級EF必将靠近導帶底（EC）；同時，摻入施主雜質的濃度越高，費米能級就越靠近導帶底。
③上述分布函數f(E)是指電子占據能帶（導帶）中某個能級的概率（電子的能量越往上越高）。如果是讨論空穴載流子的話（空穴的能量越往下越高），那麼就應當是相應于價帶中某個能級所空出（即沒有被電子占據）的概率。
對于p型半導體，因為價帶中有較多的自由空穴（多數載流子），則費米能級EF在價帶頂（EV）之上、并必将靠近EV；這時，價帶中越是靠近EF的的能級，就被空穴占據的概率越大；同時，摻入受主的雜質濃度越高，費米能級就越靠近價帶頂。
總之，凡是EF靠近導帶底的半導體必将是電子導電為主的n型半導體，凡是EF靠近價帶頂的半導體必将是空穴導電為主的p型半導體。當然，如果EF處于禁帶中央，即兩種載流子分别占據導帶能級和價帶能級的概率相等，則兩種載流子的數量也就差不多相等，那麼這就必然是本征半導體，這時的費米能級特稱為本征費米能級（用EFi表示，與禁帶中央線Ei一緻）。
④由于費米-狄拉克分布函數是載流子體系處于熱平衡狀态下的一種統計分布規律。因此，也隻有在（熱）平衡情況下才可采用此分布函數，并且也隻有在這時費米能級才有意義。實際上，費米能級本來就是熱平衡電子系統的一個熱力學函數——化學勢。由于在熱平衡狀态下整個系統具有統一的化學勢，因此整個電子系統、即使是複雜的混合體系，在熱平衡時也必将具有統一的一條費米能級。
費米子
自旋為半整數的粒子。比如電子、質子、中子等以及其反粒子。在一組由全同粒子組成的體系中，如果在體系的一個量子态（即由一套量子數所确定的微觀狀态）上隻容許容納一個粒子，這種粒子稱為費米子。或者說自旋為半整數（1/2，3/2…）的粒子統稱為費米子，服從費米-狄拉克統計。費米子滿足泡利不相容原理，即不能兩個以上的費米子出現在相同的量子态中。輕子，核子和超子的自旋都是1/2，因而都是費米子。自旋為3/2，5/2，7/2等的共振粒子也是費米子。中子、質子都是由三種誇克組成，自旋為1/2。奇數個核子組成的原子核。因為中子、質子都是費米子，故奇數個核子組成的原子核自旋是半整數。
