簡介
晶體管-晶體管邏輯集成電路的輸入級和輸出級全采用晶體管組成的單元門電路，簡稱電路。
TTL電路采用雙極型工藝制造，具有高速度和品種多等特點。從六十年代開發成功第一代産品以來現有以下幾代産品。
第一代TTL包括SN54/74系列，（其中54系列工作溫度為-55℃～+125℃，74系列工作溫度為0℃～+75℃)，低功耗系列簡稱lttl，高速系列簡稱HTTL。
第二代TTL包括肖特基箝位系列（STTL)和低功耗肖特基系列（LSTTL）。
第三代為采用等平面工藝制造的先進的STTL(ASTTL)和先進的低功耗STTL（ALSTTL）。由于LSTTL和ALSTTL的電路延時功耗積較小，STTL和ASTTL速度很快，因此獲得了廣泛的應用。
分類
電路類型TTL數字集成電路約有400多個品種，大緻可以分為以下幾類：
門電路
譯碼器/驅動器
觸發器
計數器
移位寄存器
單穩、雙穩電路和多諧振蕩器
加法器、乘法器
奇偶校驗器
碼制轉換器
線驅動器/線接收器
多路開關
存儲器
傳輸特性
TTL與非門電壓傳輸特性LSTTL與非門電壓傳輸特性
瞬态特性由于寄生電容和晶體管載流子的存儲效應的存在，存在四個時間常數td,tf,ts和tr。
延遲時間td
下降時間tf
存儲時間ts
上升時間tr
基本單元“與非門”常用電路形式
四管單元
五管單元
六管單元
主要封裝形式
雙列直插
扁平封裝
TTL反相器工作原理，請參照《數字電子技術基礎》第四版高等教育出版社，清華大學電子教研室，閻石主編的P53頁電路圖
1、當Vi=Ve1=0.2v時T1導通，這時Vb1被鉗制到0.2+0.7=0.9v，由于T1導通，故Vb2=Ve1=Vi=0.2v,由于Vb2<0.7v，所以T2截止,T3導通，T4截止，Vo輸出為高電平。
2、當Vi=Ve1=3.6v時T1也導通，這時Vb1被臨時鉗制到3.6v+0.7=4.3v，由于T1導通，故Vb2=Ve1=Vi=3.6v,由于Vb2>0.7v，所以T2導通，側Ve2=Vb4=3.6v-0.7v=2.9v,Vb4>0.7v,所以T4導通，由于T2的導通導緻T3的基極Vb3被鉗制到0V，所以T3截止；所以Vo輸出為低電平。另外由于T4的導通，并且發射極接地，反過來有影響到T4的基極被鉗制到Vb4=0v+0.7v=0.7v,同樣T2導通所以T2的基極Vb2=Vb4+0.7v=1.4v,再同樣T1導通Ve1=vb2=1.4v,Vb1=Ve1+0.7v=2.1v。
