發展曆史
基本信息
FET型:MOSFETN通道,金屬氧化物。
開态Rds(最大)@Id,Vgs@25°C:270毫歐@12A,10V。
漏極至源極電壓(Vdss):500V
電流-連續漏極(Id)@25°C:20A
Id時的Vgs(th)(最大):4V@250µA
閘電荷(Qg)@Vgs:210nC@10V
在Vds時的輸入電容(Ciss):4200pF@25V
功率-最大:260W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-247AD
包裝:管件
其它名稱:IRFP460IX
FET型:MOSFETN通道,金屬氧化物。
開态Rds(最大)@Id,Vgs@25°C:270毫歐@12A,10V。
漏極至源極電壓(Vdss):500V
電流-連續漏極(Id)@25°C:20A
Id時的Vgs(th)(最大):4V@250µA
閘電荷(Qg)@Vgs:210nC@10V
在Vds時的輸入電容(Ciss):4200pF@25V
功率-最大:260W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-247AD
包裝:管件
其它名稱:IRFP460IX