半導體激光
半導體激光（Semiconductor laser）在1962年被成功激發，在1970年實現室溫下連續輸出。後來經過改良，開發出雙異質接合型激光及條紋型構造的激光二極管（Laser diode）等，廣泛使用于光纖通信、光盤、激光打印機、激光掃描器、激光指示器（激光筆），是目前生産量最大的激光器。
激光二極體的優點是效率高、體積小、重量輕且價格低。尤其是多重量子井型的效率有20~40%，P-N型也達到數%~25%，總而言之能量效率高是其最大特色。另外，它的連續輸出波長涵蓋了紅外線到可見光範圍，而光脈沖輸出達50W（帶寬100ns）等級的産品也已商業化，作為激光雷達或激發光源可說是非常容易使用的激光的例子。
儀器簡介
半導體激光器是以一定的半導體材料做工作物質而産生受激發射作用的器件.其工作原理是,通過一定的激勵方式,在半導體物質的能帶(導帶與價帶)之間,或者半導體物質的能帶與雜質(受主或施主)能級之間,實現非平衡載流子的粒子數反轉,當處于粒子數反轉狀态的大量電子與空穴複合時,便産生受激發射作用.半導體激光器的激勵方式主要有三種,即電注入式,光泵式和高能電子束激勵式.電注入式半導體激光器,一般是由GaAS(砷化镓),InAS(砷化铟),Insb(銻化铟)等材料制成的半導體面結型二極管,沿正向偏壓注入電流進行激勵,在結平面區域産生受激發射.光泵式半導體激光器,一般用N型或P型半導體單晶(如GaAS,InAs,InSb等)做工作物。
以其他激光器發出的激光作光泵激勵.高能電子束激勵式半導體激光器,一般也是用N型或者P型半導體單晶(如PbS,CdS,ZhO等)做工作物質,通過由外部注入高能電子束進行激勵.在半導體激光器件中,目前性能較好,應用較廣的是具有雙異質結構的電注入式GaAs二極管激光器。
工作原理及特點
半導體激光器工作原理是激勵方式，利用半導體物質(既利用電子)在能帶間躍遷發光，用半導體晶體的解理面形成兩個平行反射鏡面作為反射鏡，組成諧振腔，使光振蕩、反饋、産生光的輻射放大，輸出激光。
半導體激光器激光器優點是體積小，重量輕，運轉可靠，耗電少，效率高等特點。
封裝技術
技術介紹
半導體激光器封裝技術大都是在分立器件封裝技術基礎上發展與演變而來的，但卻有很大的特殊性。一般情況下，分立器件的管芯被密封在封裝體内，封裝的作用主要是保護管芯和完成電氣互連。而半導體激光器封裝則是完成輸出電信号，保護管芯正常工作，輸出：可見光的功能，既有電參數，又有光參數的設計及技術要求，無法簡單地将分立器件的封裝用于半導體激光器。
發光部分
半導體激光器的核心發光部分是由P型和N型半導體構成的pn結管芯，當注入pn結的少數載流子與多數載流子複合時，就會發出可見光，紫外光或近紅外光。但pn結區發出的光子是非定向的，即向各個方向發射有相同的幾率，因此，并不是管芯産生的所有光都可以釋放出來，這主要取決于半導體材料質量、管芯結構及幾何形狀、封裝内部結構與包封材料，應用要求提高半導體激光器的内、外部量子效率。常規Φ5mm型半導體激光器封裝是将邊長0.25mm的正方形管芯粘結或燒結在引線架上，管芯的正極通過球形接觸點與金絲，鍵合為内引線與一條管腳相連，負極通過反射杯和引線架的另一管腳相連，然後其頂部用環氧樹脂包封。反射杯的作用是收集管芯側面、界面發出的光，向期望的方向角内發射。
頂部包封的環氧樹脂做成一定形狀，有這樣幾種作用：保護管芯等不受外界侵蝕；采用不同的形狀和材料性質(摻或不摻散色劑)，起透鏡或漫射透鏡功能，控制光的發散角；管芯折射率與空氣折射率相關太大，緻使管芯内部的全反射臨界角很小，其有源層産生的光隻有小部分被取出，大部分易在管芯内部經多次反射而被吸收，易發生全反射導緻過多光損失，選用相應折射率的環氧樹脂作過渡，提高管芯的光出射效率。
用作構成管殼的環氧樹脂須具有耐濕性，絕緣性，機械強度，對管芯發出光的折射率和透射率高。選擇不同折射率的封裝材料，封裝幾何形狀對光子逸出效率的影響是不同的，發光強度的角分布也與管芯結構、光輸出方式、封裝透鏡所用材質和形狀有關。若采用尖形樹脂透鏡，可使光集中到半導體激光器的軸線方向，相應的視角較小；如果頂部的樹脂透鏡為圓形或平面型，其相應視角将增大。
驅動電流
一般情況下，半導體激光器的發光波長随溫度變化為0．2-0．3nm／℃，光譜寬度随之增加，影響顔色鮮豔度。另外，當正向電流流經pn結，發熱性損耗使結區産生溫升，在室溫附近，溫度每升高1℃，半導體激光器的發光強度會相應地減少1％左右，封裝散熱；時保持色純度與發光強度非常重要，以往多采用減少其驅動電流的辦法，降低結溫，多數半導體激光器的驅動電流限制在20mA左右。但是，半導體激光器的光輸出會随電流的增大而增加。
目前，很多功率型半導體激光器的驅動電流可以達到70mA、100mA甚至1A級，需要改進封裝結構，全新的半導體激光器封裝設計理念和低熱阻封裝結構及技術，改善熱特性。例如，采用大面積芯片倒裝結構，選用導熱性能好的銀膠，增大金屬支架的表面積，焊料凸點的矽載體直接裝在熱沉上等方法。此外，在應用設計中，PCB線路闆等的熱設計、導熱性能也十分重要。
進入21世紀後，半導體激光器的高效化、超高亮度化、全色化不斷發展創新，紅、橙半導體激光器光效已達到100Im／W，綠半導體激光器為501m／W，單隻半導體激光器的光通量也達到數十Im。半導體激光器芯片和封裝不再沿龔傳統的設計理念與制造生産模式，在增加芯片的光輸出方面，研發不僅僅限于改變材料内雜質數量，晶格缺陷和位錯來提高内部效率，同時，如何改善管芯及封裝内部結構，增強半導體激光器内部産生光子出射的幾率，提高光效，解決散熱，取光和熱沉優化設計，改進光學性能，加速表面貼裝化SMD進程更是産業界研發的主流方向。
發展概況
小功率LD
用于信息技術領域的小功率LD發展極快。例如用于光纖通信及光交換系統的分布反饋(DFB)和動态單模LD、窄線寬可調諧DFB-LD、用于光盤等信息處理技術領域的可見光波長(如波長為670nm、650nm、630nm的紅光到藍綠光)LD、量子阱面發射激光器以及超短脈沖LD等都得到實質性發展。這些器件的發展特征是：單頻窄線寬、高速率、可調諧以及短波長化和光電單片集成化等。
高功率LD
1983年，波長800nm的單個LD輸出功率已超過100mW，到了1989年，0.1mm條寬的LD則達到3.7W的連續輸出，而1cm線陣LD已達到76W輸出，轉換效率達39%。1992年，美國人又把指标提高到一個新水平：1cm線陣LD連續波輸出功率達121W，轉換效率為45%。現在，輸出功率為120W、1500W、3kW等諸多高功率LD均已面世。高效率、高功率LD及其列陣的迅速發展也為全固化激光器，亦即半導體激光泵浦(LDP)的固體激光器的迅猛發展提供了強有力的條件。n
近年來，為适應EDFA和EDFL等需要，波長980nm的大功率LD也有很大發展。最近配合光纖Bragg光栅作選頻濾波，大幅度改善其輸出穩定性，泵浦效率也得到有效提高。
發展過程
綜述
半導體物理學的迅速發展及随之而來的晶體管的發明，使科學家們早在50年代就設想發明半導體激光器，60年代早期，很多小組競相進行這方面的研究。在理論分析方面，以莫斯科列别捷夫物理研究所的尼古拉·巴索夫的工作最為傑出。
早期研究
在1962年7月召開的固體器件研究國際會議上，美國麻省理工學院林肯實驗室的兩名學者克耶斯（Keyes）和奎斯特（Quist）報告了砷化镓材料的光發射現象，這引起通用電氣研究實驗室工程師哈爾（Hall）的極大興趣，在會後回家的火車上他寫下了有關數據。回到家後，哈爾立即制定了研制半導體激光器的計劃，并與其他研究人員一道，經數周奮鬥，他們的計劃獲得成功。
像晶體二極管一樣，半導體激光器也以材料的p-n結特性為基礎，且外觀亦與前者類似，因此，半導體激光器常被稱為二極管激光器或激光二極管。
制造器件
早期的激光二極管有很多實際限制，例如，隻能在77K低溫下以微秒脈沖工作，過了8年多時間，才由貝爾實驗室和列甯格勒（現在的聖彼得堡）約飛（Ioffe）物理研究所制造出能在室溫下工作的連續器件。而足夠可靠的半導體激光器則直到70年代中期才出現。
半導體激光器體積非常小，最小的隻有米粒那樣大。工作波長依賴于激光材料，一般為0.6～1.55微米，由于多種應用的需要，更短波長的器件在發展中。據報導，以Ⅱ～Ⅳ價元素的化合物，如ZnSe為工作物質的激光器，低溫下已得到0.46微米的輸出，而波長0.50～0.51微米的室溫連續器件輸出功率已達10毫瓦以上。但迄今尚未實現商品化。
光纖通信是半導體激光可預見的最重要的應用領域，一方面是世界範圍的遠距離海底光纖通信，另一方面則是各種地區網。後者包括高速計算機網、航空電子系統、衛生通訊網、高清晰度閉路電視網等。但就目前而言，激光唱機是這類器件的最大市場。其他應用包括高速打印、自由空間光通信、固體激光泵浦源、激光指示，及各種醫療應用等。
20世紀60年代初期的半導體激光器是同質結型激光器，它是在一種材料上制作的pn結二極管在正向大電流注人下，電子不斷地向p區注人，空穴不斷地向n區注人.于是，在原來的pn結耗盡區内實現了載流子分布的反轉，由于電子的遷移速度比空穴的遷移速度快，在有源區發生輻射、複合，發射出熒光，在一定的條件下發生激光，這是一種隻能以脈沖形式工作的半導體激光器.
第二階段
半導體激光器發展的第二階段是異質結構半導體激光器，它是由兩種不同帶隙的半導體材料薄層，如GaAs,GaAlAs所組成，最先出現的是單異質結構激光器(1969年).單異質結注人型激光器(SHLD)是利用異質結提供的勢壘把注入電子限制在GaAsP一N結的P區之内，以此來降低閥值電流密度，其數值比同質結激光器降低了一個數量級，但單異質結激光器仍不能在室溫下連續工作.
1970年，實現了激光波長為9000Å.室溫連續工作的雙異質結GaAs-GaAlAs(砷化稼一稼鋁砷)激光器.雙異質結激光器(DHL)的誕生使可用波段不斷拓寬，線寬和調諧性能逐步提高，其結構的特點是在P型和n型材料之間生長了僅有0.2Eam厚的，不摻雜的，具有較窄能隙材料的一個薄層，因此注人的載流子被限制在該區域内(有源區)，因而注人較少的電流就可以實現載流子數的反轉.在半導體激光器件中，目前比較成熟、性能較好、應用較廣的是具有雙異質結構的電注人式GaAs二極管激光器.
随着異質結激光器的研究發展，人們想到如果将超薄膜(<20nm)的半導體層作為激光器的激括層，以緻于能夠産生量子效應，結果會是怎麼樣?再加之由于MBE,MOCVD技術的成就，于是，在1978年出現了世界上第一隻半導體量子阱激光器(QWL)，它大幅度地提高了半導體激光器的各種性能.後來，又由于MOCVD,MBE生長技術的成熟，能生長出高質量超精細薄層材料，之後，便成功地研制出了性能更加良好的量子阱激光器，量子阱半導體激光器與雙異質結(DH)激光器相比，具有闌值電流低、輸出功率高，頻率響應好，光譜線窄和溫度穩定性好和較高的電光轉換效率等許多優點.
QWL在結構上的特點是它的有源區是由多個或單個阱寬約為100人的勢阱所組成，由于勢阱寬度小于材料中電子的德布羅意波的波長，産生了量子效應，連續的能帶分裂為子能級.因此，特别有利于載流子的有效填充，所需要的激射閱值電流特别低.半導體激光器的結構中應用的主要是單、多量子阱，單量子阱(SQW)激光器的結構基本上就是把普通雙異質結(DH)激光器的有源層厚度做成數十nm以下的一種激光器。
通常把勢壘較厚以緻于相鄰勢阱中電子波函數不發生交叠的周期結構稱為多量子阱(MQW).量子阱激光器單個輸出功率現已大于1w，承受的功率密度已達lOMW/cm3以上[c)而為了得到更大的輸出功率，通常可以把許多單個半導體激光器組合在一起形成半導體激光器列陣。因此，量子阱激光器當采用陣列式集成結構時，輸出功率則可達到l00w以上.近年來，高功率半導體激光器(特别是陣列器件)飛速發展，已經推出的産品有連續輸出功率5,1ow,20w和30W的激光器陣列.脈沖工作的半導體激光器峰值輸出功率50w.20W和1500W的陣列也已經商品化.一個4.5cmx9cm的二維陣列，其峰值輸出功率已經超過45kW.峰值輸出功率為350kW的二維陣列也已間世[3]
發展方向
從20世紀70年代末開始，半導體激光器明顯向着兩個方向發展，一類是以傳遞信息為目的的信息型激光器.另一類是以提高光功率為目的的功率型激光器.在泵浦固體激光器等應用的推動下，高功率半導體激光器(連續輸出功率在100，以上，脈沖輸出功率在5W以上，均可稱之謂高功率半導體激光器)在20世紀90年代取得了突破性進展，其标志是半導體激光器的輸出功率顯著增加，國外千瓦級的高功率半導體激光器已經商品化，國内樣品器件輸出已達到600W[61.如果從激光波段的被擴展的角度來看，先是紅外半導體激光器，接着是670nm紅光半導體激光器大量進入應用。
接着，波長為650nm,635nm的問世，藍綠光、藍光半導體激光器也相繼研制成功，10mw量級的紫光乃至紫外光半導體激光器，也在加緊研制中[a}為适應各種應用而發展起來的半導體激光器還有可調諧半導體激光器，‘’電子束激勵半導體激光器以及作為“集成光路”的最好光源的分布反饋激光器(DFB一LD)，分布布喇格反射式激光器(DBR一LD)和集成雙波導激光器.另外，還有高功率無鋁激光器(從半導體激光器中除去鋁，以獲得更高輸出功率，更長壽命和更低造價的管子)、中紅外半導體激光器和量子級聯激光器等等.其中，可調諧半導體激光器是通過外加的電場、磁場、溫度、壓力、摻雜盆等改變激光的波長，可以很方便地對輸出光束進行調制.分布反饋(DF式半導體激光器是伴随光纖通信和集成光學回路的發展而出現的，它于1991年研制成功。
分布反饋式半導體激光器完全實現了單縱模運作，在相幹技術領域中又開辟了巨大的應用前景它是一種無腔行波激光器，激光振蕩是由周期結構(或衍射光栅)形成光藕合提供的，不再由解理面構成的諧振腔來提供反饋，優點是易于獲得單模單頻輸出，容易與纖維光纜、調制器等輛合，特别适宜作集成光路的光源.
單極性注人的半導體激光器是利用在導帶内(或價帶内)子能級間的熱電子光躍遷以實現受激光發射，自然要使導帶和價帶内存在子能級或子能帶，這就必須采用量子阱結構.單極性注人激光器能獲得大的光功率輸出，是一種商效率和超商速響應的半導體激光器，并對發展矽基激光器及短波激光器很有利.量子級聯激光器的發明大大簡化了在中紅外到遠紅外這樣寬波長範圍内産生特定波長激光的途徑.它隻用同一種材料，根據層的厚度不同就能得到上述波長範圍内的各種波長的激光。
同傳統半導體激光器相比，這種激光器不需冷卻系統，可以在室溫下穩定操作.低維(量子線和量子點)激光器的研究發展也很快，日本okayama的GaInAsP/Inp長波長量子線(Qw+)激光器已做到9OkCW工作條件下Im=6.A,l=37A/cm2并有很高的量子效率.衆多科研單位正在研制自組裝量子點(QD)激光器，目前該QDLD已具有了高密度，高均勻性和高發射功率[U1.由于實際需要，半導體激光器的發展主要是圍繞着降低闊值電流密度、延長工作壽命、實現室溫連續工作，以及獲得單模、單頻、窄線寬和發展各種不同激射波長的器件進行的.
面發射器
20世紀90年代出現并特别值得一提的是面發射激光器(SEL)，早在1977年，人們就提出了所謂的面發射激光器，并于1979年做出了第一個器件，1987年做出了用光泵浦的780nm的面發射激光器.1998年GaInAIP/GaA。面發射激光器在室溫下達到亞毫安的網電流,8mW的輸出功率和11%的轉換效率[2)前面談到的半導體激光器，從腔體結構上來說，不論是F一P(法布裡一泊羅)腔或是DBR(分布布拉格反射式)腔，激光輸出都是在水平方向，統稱為水平腔結構。
它們都是沿着襯底片的平行方向出光的.而面發射激光器卻是在芯片上下表面鍍上反射膜構成了垂直方向的F一p腔，光輸出沿着垂直于襯底片的方向發出，垂直腔面發射半導體激光器(VCSELS)是一種新型的量子阱激光器，它的激射闊值電流低，輸出光的方向性好，藕合效率高，通過陣列化分布能得到相當強的光功率輸出，垂直腔面發射激光器已實現了工作溫度最高達71`C。
另外，垂直腔面發射激光器還具有兩個不穩定的互相垂直的偏振橫模輸出，即x模和y模，目前對偏振開關和偏振雙穩特性的研究也進入到了一個新階段，人們可以通過改變光反饋、光電反饋、光注入、注入電流等等因素實現對偏振态的控制，在光開關和光邏輯器件領域獲得新的進展。20世紀90年代末，面發射激光器和垂直腔面發射激光器得到了迅速的發展，且已考慮了在超并行光電子學中的多種應用.980mn,850nm和780nm的器件在光學系統中已經實用化。
目前，垂直腔面發射激光器已用于千兆位以太網的高速網絡[21為了滿足21世紀信息傳輸寬帶化、信息處理高速化、信息存儲大容量以及軍用裝備小型、高精度化等需要，半導體激光器的發展趨勢主要在高速寬帶LD、大功率ID,短波長LD,盆子線和量子點激光器、中紅外LD等方面.目前，在這些方面取得了一系列重大的成果。
