透射電子顯微鏡

透射電子顯微鏡

可以看清亞顯微結構或超微結構的顯微鏡
在光學顯微鏡下無法看清小于0.2µm的細微結構,這些結構稱為亞顯微結構(submicroscopic structures)或超微結構(ultramicroscopic structures;ultrastructures)。要想看清這些結構,就必須選擇波長更短的光源,以提高顯微鏡的分辨率。1932年Ruska發明了以電子束為光源的透射電子顯微鏡(transmission electron microscope,TEM),電子束的波長要比可見光和紫外光短得多,并且電子束的波長與發射電子束的電壓平方根成反比,也就是說電壓越高波長越短。目前TEM的分辨力可達0.2nm。
    中文名:透射電子顯微鏡 外文名:Transmission Electron Microscope 别名:TEM

正文

電子顯微術的主要電子光學儀器。主體部分是電子透鏡和顯像記錄系統,由置于真空中的電子槍、聚光鏡、物樣室、物鏡、衍射鏡、中間鏡、投影鏡、熒光屏和照相機等組成。與光學顯微鏡的結構完全類似(見圖)。

透射電子顯微鏡的工作原理是一單色、單向、均勻而高速的微電子束,用薄試樣相互作用時,束中的部分電子激發出與試樣相關的二次電子、背散射電子、特征X射線和俄歇電子等信息。穿過試樣的電子束,被散射偏離原有方向的叫散射電子束,未被散射的叫透射電子束。這兩類電子束皆可用于成像。能獲得襯度完全相反的兩種像──取透射電子束經過物鏡聚焦的像叫明場像;取散射電子束經過物鏡聚焦的像叫暗場像。再經過中間鏡和投影鏡的多級放大,最終将欲觀測的圖像呈現在熒光屏上。

現代的高分辨率透射電鏡,能分辨0.1納米以下的微細物質結構,放大倍數可達100萬餘倍。這種電鏡适用于晶體結構和缺陷的直接成像,即能觀測原子或原團的排列,又能确定其所處的空間位置。另一類配有X射線能譜儀、電子能量損失譜儀、俄歇電子譜儀和掃描附件等的分析型電鏡,可用于小至直徑4納米範圍内的晶體形态、成分和結構的分析。地質學中用于微細礦物,如粘土礦物的形态觀察與鑒定;微細礦物的顯微雙晶、出溶、相變和位錯研究等。

基本原理

在光學顯微鏡下無法看清小于0.2µm的細微結構,這些結構稱為亞顯微結構(submicroscopic structures)或超微結構(ultramicroscopic structures;ultrastructures)。要想看清這些結構,就必須選擇波長更短的光源,以提高顯微鏡的分辨率。1932年Ruska發明了以電子束為光源的透射電子顯微鏡(transmission electron microscope,TEM),電子束的波長要比可見光和紫外光短得多,并且電子束的波長與發射電子束的電壓平方根成反比,也就是說電壓越高波長越短。目前TEM的分辨力可達0.2nm。

電子顯微鏡與光學顯微鏡的成像原理基本一樣,所不同的是前者用電子束作光源,用電磁場作透鏡。另外,由于電子束的穿透力很弱,因此用于電鏡的标本須制成厚度約50nm左右的超薄切片。這種切片需要用超薄切片機(ultramicrotome)制作。電子顯微鏡的放大倍數最高可達近百萬倍、由電子照明系統、電磁透鏡成像系統、真空系統、記錄系統、電源系統等5部分構成。

分類

大型透射電鏡

大型透射電鏡(conventional TEM)一般采用80-300kV電子束加速電壓,不同型号對應不同的電子束加速電壓,其分辨率與電子束加速電壓相關,可達0.2-0.1nm,高端機型可實現原子級分辨。

低壓透射電鏡

低壓小型透射電鏡(Low-Voltage electron microscope, LVEM)采用的電子束加速電壓(5kV)遠低于大型透射電鏡。較低的加速電壓會增強電子束與樣品的作用強度,從而使圖像襯度、對比度提升,尤其适合高分子、生物等樣品;同時,低壓透射電鏡對樣品的損壞較小。

分辨率較大型電鏡低,1-2nm。由于采用低電壓,可以在一台設備上整合透射電鏡、掃描電鏡與掃描透射電鏡

冷凍電鏡

冷凍電鏡(Cryo-microscopy)通常是在普通透射電鏡上加裝樣品冷凍設備,将樣品冷卻到液氮溫度(77K),用于觀測蛋白、生物切片等對溫度敏感的樣品。通過對樣品的冷凍,可以降低電子束對樣品的損傷,減小樣品的形變,從而得到更加真實的樣品形貌。

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