簡要介紹
概述
閃存是一種不揮發性（ Non-Volatile ）内存，在沒有電流供應的條件下也能夠長久地保持數據，其存儲特性相當于硬盤，這項特性正是閃存得以成為各類便攜型數字設備的存儲介質的基礎。
NAND 閃存的存儲單元則采用串行結構，存儲單元的讀寫是以頁和塊為單位來進行（一頁包含若幹字節，若幹頁則組成儲存塊， NAND 的存儲塊大小為 8 到 32KB ），這種結構最大的優點在于容量可以做得很大，超過 512MB 容量的 NAND 産品相當普遍， NAND 閃存的成本較低，有利于大規模普及。
NAND 閃存的缺點在于讀速度較慢，它的 I/O 端口隻有 8 個，比 NOR 要少多了。這區區 8 個 I/O 端口隻能以信号輪流傳送的方式完成數據的傳送，速度要比 NOR 閃存的并行傳輸模式慢得多。再加上 NAND 閃存的邏輯為電子盤模塊結構，内部不存在專門的存儲控制器，一旦出現數據壞塊将無法修，可靠性較 NOR 閃存要差。
NAND 閃存被廣泛用于移動存儲、數碼相機、 MP3 播放器、掌上電腦等新興數字設備中。由于受到數碼設備強勁發展的帶動， NAND 閃存一直呈現指數級的超高速增長。
NOR和NAND是市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發出NOR flash技術,徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面。緊接着,1989年,東芝公司發表了NAND flash結構,強調降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經過了十多年之後,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。
相“flash存儲器”經常可以與相“NOR存儲器”互換使用。許多業内人士也搞不清楚NAND閃存技術相對于NOR技術的優越之處,因為大多數情況下閃存隻是用來存儲少量的代碼,這時NOR閃存更适合一些。而NAND則是高數據存儲密度的理想解決方案。
NOR的特點是芯片内執行(XIP, eXecute In Place),這樣應用程序可以直接在flash閃存内運行,不必再把代碼讀到系統RAM中。NOR的傳輸效率很高,在1～4MB的小容量時具有很高的成本效益,但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的性能。
NAND結構能提供極高的單元密度,可以達到高存儲密度,并且寫入和擦除的速度也很快。應用NAND的困難在于flash的管理和需要特殊的系統接口。
性能比較
flash閃存是非易失存儲器,可以對稱為塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作隻能在空或已擦除的單元内進行,所以大多數情況下,在進行寫入操作之前必須先執行擦除。NAND器件執行擦除操作是十分簡單的,而NOR則要求在進行擦除前先要将目标塊内所有的位都寫為0。
由于擦除NOR器件時是以64～128KB的塊進行的,執行一個寫入/擦除操作的時間為5ms,與此相反,擦除NAND器件是以8～32KB的塊進行的,執行相同的操作最多隻需要4ms。
執行擦除時塊尺寸的不同進一步拉大了NOR和NADN之間的性能差距,統計表明,對于給定的一套寫入操作(尤其是更新小文件時),更多的擦除操作必須在基于NOR的單元中進行。這樣,當選擇存儲解決方案時,設計師必須權衡以下的各項因素。
NOR的讀速度比NAND稍快一些。
NAND的寫入速度比NOR快很多。
NAND的4ms擦除速度遠比NOR的5ms快。
大多數寫入操作需要先進行擦除操作。
NAND的擦除單元更小,相應的擦除電路更少。
接口差别
NOR flash帶有SRAM接口,有足夠的地址引腳來尋址,可以很容易地存取其内部的每一個字節。
NAND器件使用複雜的I/O口來串行地存取數據,各個産品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、地址和數據信息。
NAND讀和寫操作采用512字節的塊,這一點有點像硬盤管理此類操作,很自然地,基于NAND的存儲器就可以取代硬盤或其他塊設備。
容量和成本
NAND flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半,由于生産過程更為簡單,NAND結構可以在給定的模具尺寸内提供更高的容量,也就相應地降低了價格。
NOR flash占據了容量為1～16MB閃存市場的大部分,而NAND flash隻是用在8MB～128GB的産品當中,這也說明NOR主要應用在代碼存儲介質中,NAND适合于數據存儲,NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存儲卡市場上所占份額最大。
可靠性
采用flahs介質時一個需要重點考慮的問題是可靠性。對于需要擴展MTBF的系統來說,Flash是非常合适的存儲方案。可以從壽命(耐用性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較NOR和NAND的可靠性。
耐用性
在NAND閃存中每個塊的最大擦寫次數是一百萬次,而NOR的擦寫次數是十萬次。NAND存儲器除了具有10比1的塊擦除周期優勢,典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍,每個NAND存儲器塊在給定的時間内的删除次數要少一些。
位交換
所有flash器件都受位交換現象的困擾。在某些情況下(很少見,NAND發生的次數要比NOR多),一個比特位會發生反轉或被報告反轉了。
一位的變化可能不很明顯,但是如果發生在一個關鍵文件上,這個小小的故障可能導緻系統停機。如果隻是報告有問題,多讀幾次就可能解決了。
當然,如果這個位真的改變了,就必須采用錯誤探測/錯誤更正(EDC/ECC)算法。位反轉的問題更多見于NAND閃存,NAND的供應商建議使用NAND閃存的時候,同時使用EDC/ECC算法。
這個問題對于用NAND存儲多媒體信息時倒不是緻命的。當然,如果用本地存儲設備來存儲操作系統、配置文件或其他敏感信息時,必須使用EDC/ECC系統以确保可靠性。
壞塊處理
NAND器件中的壞塊是随機分布的。以前也曾有過消除壞塊的努力,但發現成品率太低,代價太高,根本不劃算。
NAND器件需要對介質進行初始化掃描以發現壞塊,并将壞塊标記為不可用。在已制成的器件中,如果通過可靠的方法不能進行這項處理,将導緻高故障率。
易于使用
可以非常直接地使用基于NOR的閃存,可以像其他存儲器那樣連接,并可以在上面直接運行代碼。
由于需要I/O接口,NAND要複雜得多。各種NAND器件的存取方法因廠家而異。
在使用NAND器件時,必須先寫入驅動程序,才能繼續執行其他操作。向NAND器件寫入信息需要相當的技巧,因為設計師絕不能向壞塊寫入,這就意味着在NAND器件上自始至終都必須進行虛拟映射。
軟件支持
當讨論軟件支持的時候,應該區别基本的讀/寫/擦操作和高一級的用于磁盤仿真和閃存管理算法的軟件,包括性能優化。
在NOR器件上運行代碼不需要任何的軟件支持,在NAND器件上進行同樣操作時,通常需要驅動程序,也就是内存技術驅動程序(MTD),NAND和NOR器件在進行寫入和擦除操作時都需要MTD。
使用NOR器件時所需要的MTD要相對少一些,許多廠商都提供用于NOR器件的更高級軟件,這其中包括M-System的TrueFFS驅動,該驅動被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等廠商所采用。
工作原理
發現者
1957年，受雇于索尼公司的江崎玲于奈（Leo Esaki，1940～）在改良高頻晶體管2T7的過程中發現，當增加PN結兩端的電壓時電流反而減少，江崎玲于奈将這種反常的負電阻現象解釋為隧道效應。此後，江崎利用這一效應制成了隧道二極管（也稱江崎二極管）。
1960年，美裔挪威籍科學家加埃沃（Ivan Giaever，1929～）通過實驗證明了在超導體隧道結中存在單電子隧道效應。在此之前的1956年出現的“庫珀對”及BCS理論被公認為是對超導現象的完美解釋，單電子隧道效應無疑是對超導理論的一個重要補充。
1962年，年僅22歲的英國劍橋大學實驗物理學研究生約瑟夫森（Brian David Josephson，1940～）預言，當兩個超導體之間設置一個絕緣薄層構成SIS（Superconductor-Insulator-Superconductor）時，電子可以穿過絕緣體從一個超導體到達另一個超導體。約瑟夫森的這一預言不久就為P.W.安德森和J.M.羅厄耳的實驗觀測所證實——電子對通過兩塊超導金屬間的薄絕緣層（厚度約為10埃）時發生了隧道效應，于是稱之為“約瑟夫森效應”。 宏觀量子隧道效應确立了微電子器件進一步微型化的極限，當微電子器件進一步微型化時必須要考慮上述的量子效應。例如，在制造半導體集成電路時，當電路的尺寸接近電子波長時，電子就通過隧道效應而穿透絕緣層，使器件無法正常工作。因此，宏觀量子隧道效應已成為微電子學、光電子學中的重要理論。
應用
閃存的存儲單元為三端器件，與場效應管有相同的名稱：源極、漏極和栅極。栅極與矽襯底之間有二氧化矽絕緣層，用來保護浮置栅極中的電荷不會洩漏。采用這種結構，使得存儲單元具有了電荷保持能力，就像是裝進瓶子裡的水，當你倒入水後，水位就一直保持在那裡，直到你再次倒入或倒出，所以閃存具有記憶能力。
與場效應管一樣，閃存也是一種電壓控制型器件。NAND型閃存的擦和寫均是基于隧道效應，電流穿過浮置栅極與矽基層之間的絕緣層，對浮置栅極進行充電（寫數據）或放電（擦除數據）。而NOR型閃存擦除數據仍是基于隧道效應（電流從浮置栅極到矽基層），但在寫入數據時則是采用熱電子注入方式（電流從浮置栅極到源極）。
場效應管工作原理場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數載流子和反極性的少數載流子參與導電,因此稱為雙極型晶體管,而FET僅是由多數載流子參與導電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、動态範圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競争者。
