母鳳文

母鳳文

中國科學院微電子研究所研究員
母鳳文,男,畢業于東京大學,博士學位,現任中國科學院微電子研究所研究員。主要研究方向是晶圓級異質集成技術、電子封裝技術與材料、半導體材料先進加工技術。[1]
    中文名:母鳳文 民族: 出生地: 畢業院校:東京大學 學位/學曆:博士 職業:科研工作者 專業方向: 職務:中國科學院微電子研究所研究員 學術代表作: 主要成就:

人物經曆

學習經曆

2013.10-2016.09獲東京大學精密工學系工學博士學位。

2010.09-2013.07獲清華大學機械工程系材料科學與工程專業工學碩士學位。

2006.09-2010.07獲合肥工業大學材料成型及控制工程專業工學學士學位。

工作經曆

2020.04-至今,任中國科學院微電子研究所研究員。

2018.04-2020.03任早稻田大學理工學院次席研究員。

2017.12-2018.03任東京大學精密工學系助理教授。

2016.10-2017.11任東京大學精密工學系特任研究員。

主要成就

科研成就

承擔科研項目

2020-2022北京市科委項目,主持

2021-2023國家自然科學基金委(青年),主持

2019-2020應用于高頻高功率氮化镓器件的GaN-金剛石室溫集成,日本學術振興會,主持

2019-2020應用于高功率氮化镓器件的GaN-金剛石集成界面熱導測定日本公益财團法人精密測定技術振興财團,主持

2019-20205G的普及、展開的基礎技術的研究開發,日本總務省,參與

2018-2021GaN-金剛石室溫鍵合、銅-銅燒結連接、低溫非金屬鍵合,國内公司合作研究三項,參與

2018-2019透明鍵合技術開發,日本公司合作研究,參與

2016-2020薄型碳化矽器件的低成本制造,日本公司合作研究,參與

2019-2020寬禁帶半導體芯片連接技術,日本科學技術振興機構,參與

授權專利

1.母鳳文,赫然,氮化镓器件結構,201720616096.

2.母鳳文,赫然,氮化镓器件結構及其制備方法,CN107039373A.

人才培養

代表論著

[1]K. Takeuchi, F. Mu, et al., Adv. Mater. Interfaces, 2021, 8, 2001741. 

[2]Z. Cheng, F. Mu, et al., ACS Appl. Mater. Interfaces, 2020, 12, 40, 44943–44951. 

[3]Z. Cheng, F. Mu, et al., ACS Appl. Mater. Interfaces, 2020, 12(7):8376-8384,

[4]F. Mu, et al., ACS Appl. Mater. Interfaces, 2019, 11(36): 33428-33434. 

[5]Y. Xu, F. Mu, et al., Ceramics International, 2018, 45(5): 6552-6555.

[6]F. Mu, et al., Applied Surface Science, 2019, 465: 591-595.

[7]F. Mu, et al., Scripta Materialia, 2018, 150: 148-151.

[8]F. Mu, et al., Applied Surface Science, 2017, 416: 1007-1012. 

[9]F. Mu , et al., ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2017, 6(5): P227-P230. 

[10]F. Mu, et al., Applied Physics Express, 2016, 9(8): 081302.

榮譽表彰

[1]2019年度教育部科技獎二等獎,納米連接的尺寸效應及界面調控,鄒貴生,劉磊,闫劍鋒,林路禅,吳愛萍,沈道智,母鳳文;清華大學.

[2]母鳳文,日本東京大學工學院院長獎,2017年.

[3]F. Mu, et al., Feasibility study of all-SiC pressure sensor fabrication without deep etching, JIEP Poster Award in the 2018 International Conference on Electronics Packaging and iMAPS All Asia Conference, Mie, Japan, April, 2018. 

[4]母鳳文,藤野真久,須賀唯知,高橋良和,中澤治雄,井口研一,日本第29次電子封裝學會講演大會研究獎勵賞,東京,2015.

[5]F. Mu, et al., SiC wafer bonding by modified suface activated bonding method, Best Presentation Award in the 4th IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, Tokyo, July, 2014.

社會任職

1.國際電子封裝技術大會學術委員會委員

2.日本電子封裝學會功率電子研究會委員

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