人物經曆
1978.2－1982.1華中工學院固體電子學系本科畢業，獲工學學士學位；
1982.2－1984.9華中工學院固體電子學系碩士畢業，獲工學碩士學位；
1989.9－1993.11華中理工大學固體電子學系博士畢業，獲工學博士學位；
1984.9－1986.10華中工學院固體電子學系助教；
1986.11－1994.5華中理工大學固體電子學系講師；
1994.6－2000.1華中理工大學固體電子學系副教授；
1995.12－1997.6香港大學電機電子工程學系資深研究員；
1997.7－1999.6香港大學電機電子工程學系博士後研究員；
2000.2－2012.6華中科技大學電子科學與技術系教授，博導；
2012.6－華中科技大學光學與電子信息學院教授，博導。
研究方向
先進的小尺寸CMOS集成器件原理、結構、工藝及建模/模拟(The principle, structure, process and modeling/simulation of advanced small-size CMOS devices)；
二維層狀半導體材料及納電子/光電子器件
新型非揮發性半導體存儲器
主講課程
光學與電子信息。
主要成就
科研成就
近幾年來（2001-2008），作為訪問教授每年赴香港大學從事2-3個月的合作研究。九四年晉升為副教授，二000年二月晉升為教授，二00二年六月被評聘為博士生導師。自一九八四年以來，一直從事微電子器件、物理、工藝以及集成技術方面的教學與研究工作。作為負責人主持國家自然科學基金項目兩項，徐靜平教授已完成國家自然科學基金項目三項、教育部骨幹教師基金一項、湖北省自然科學基金兩項以及國際合作項目三項。
率先在國際上提出了采用N2O和NO直接熱氧化法制備SiC MOS器件栅氧化物以及采用NH3進行表面鈍化處理的先進技術，獲得了SiC/SiO2界面質量和器件可靠性的極大改進；提出并采用濕氮或濕NO退火技術制備高k栅介質Ge基MOS器件，獲得好的高k介質/Ge界面特性。有關成果在IEEE EDL、Appl Phys Lett.等重要國際期刊上發表,多次被同行專家引用。在國際國内重要期刊雜志上共發表學術論文80餘篇（其中國際期刊40餘篇），被SCI收錄38篇，EI收錄35篇。
國家自然科學基金，湖北省自然科學基金評委；Microelectronics Reliability、物理學報、中國物理（英文）；半導體學報審稿人。
獲獎情況
2019湖北省自然科學獎三等獎
2014Nature Index: 2014 China: 對學校自然指數的突出貢獻
