简介
PN结有单向导电性，正向电阻小，反向电阻很大。当反向电压增大到一定数值时，反向电流突然增加。就是反向电击穿。它分雪崩击穿和齐纳击穿。利用这个特性制作的二极管就是雪崩二极管。国内主要厂商有上海欧光OTRON品牌。
雪崩击穿是在电场作用下，载流子能量增大，不断与晶体原子相碰，使共价键中的电子激发形成自由电子-空穴对。新产生的载流子又通过碰撞产生自由电子-空穴对，这就是倍增效应。1生2，2生4，像雪崩一样增加载流子。
齐纳击穿完全不同，在高的反向电压下，PN结中存在强电场，它能够直接破坏共价键将束缚电子分离来形成电子-空穴对，形成大的反向电流。齐纳击穿需要的电场强度很大！只有在杂质浓度特别大的PN结才做得到。（一般的二极管掺杂浓度没这么高，它们的电击穿都是雪崩击穿。齐纳击穿大多出现在特殊的二极管中，就是稳压二极管它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。
产生高频振荡的工作原理是：利用雪崩击穿对晶体注入载流子，因载流子渡越晶片需要一定的时间，所以其电流滞后于电压，出现延迟时间，若适当地控制渡越时间，那么，在电流和电压关系上就会出现负阻效应，从而产生高频振荡。它常被应用于微波领域的振荡电路中。
详细介绍
每个模块包括一个光电探测器(快速光电二极管或雪崩光电二极管)和一个互阻抗放大器。同一封装中兼备放大器和光探测器，使其环境噪声更低，寄生电容更小。C30659系列模块包括一个连接到低噪声互阻抗放大器的APD。有4种型号使用硅晶体雪崩光电二极管和2种型号铟镓砷雪崩光电二极管可选择。50兆赫和200兆赫的标准频带宽度可以适应大范围应用。
另有两种C30659型号的雪崩光电二极管配置热电制冷(LLAM系列)，帮助改善噪音或保持雪崩光电二极管在任何环境温度下恒温工作。C30659型号可以根据特殊应用需要，选择一种定制频带宽度或适合特殊环境要求的定制产品。另有一种带尾纤封装14插脚双列直插式插件，可以达到几乎100%耦合效率。C30950EH是可以替代C30659的低成本型产品。
放大器用来抵消电压增益放大器的输入电容。C30919E与C30950EH使用相同设计结构，多了一个高压温度补偿电路以保持模块在宽温度范围内的响应性常数。另两种HUV模块可用于低频高增益应用，它涵盖了从紫外线到接近红外线的广谱范围。
应用
激光测距仪、共焦显微镜检查、视频扫描成像仪、高速分析仪器、自由空间通信、紫外线传感、分布式温度传感器。
特点和优点：超低噪声、高速、高互阻抗增益。
