人物经历学习经历
2013.10-2016.09获东京大学精密工学系工学博士学位。
2010.09-2013.07获清华大学机械工程系材料科学与工程专业工学硕士学位。
2006.09-2010.07获合肥工业大学材料成型及控制工程专业工学学士学位。
工作经历
2020.04-至今，任中国科学院微电子研究所研究员。
2018.04-2020.03任早稻田大学理工学院次席研究员。
2017.12-2018.03任东京大学精密工学系助理教授。
2016.10-2017.11任东京大学精密工学系特任研究员。
主要成就科研成就
承担科研项目
2020-2022北京市科委项目，主持
2021-2023国家自然科学基金委(青年)，主持
2019-2020应用于高频高功率氮化镓器件的GaN-金刚石室温集成，日本学术振兴会，主持
2019-2020应用于高功率氮化镓器件的GaN-金刚石集成界面热导测定日本公益财团法人精密测定技术振兴财团，主持
2019-20205G的普及、展开的基础技术的研究开发，日本总务省，参与
2018-2021GaN-金刚石室温键合、铜-铜烧结连接、低温非金属键合，国内公司合作研究三项，参与
2018-2019透明键合技术开发，日本公司合作研究，参与
2016-2020薄型碳化硅器件的低成本制造，日本公司合作研究，参与
2019-2020宽禁带半导体芯片连接技术，日本科学技术振兴机构，参与
授权专利
1.母凤文，赫然，氮化镓器件结构，201720616096.
2.母凤文，赫然，氮化镓器件结构及其制备方法,CN107039373A.
人才培养
代表论著
[1]K. Takeuchi, F. Mu, et al., Adv. Mater. Interfaces, 2021, 8, 2001741.
[2]Z. Cheng, F. Mu, et al., ACS Appl. Mater. Interfaces, 2020, 12, 40, 44943–44951.
[3]Z. Cheng, F. Mu, et al., ACS Appl. Mater. Interfaces, 2020, 12(7)：8376-8384,
[4]F. Mu, et al., ACS Appl. Mater. Interfaces, 2019, 11(36): 33428-33434.
[5]Y. Xu, F. Mu, et al., Ceramics International, 2018, 45(5): 6552-6555.
[6]F. Mu, et al., Applied Surface Science, 2019, 465: 591-595.
[7]F. Mu, et al., Scripta Materialia, 2018, 150: 148-151.
[8]F. Mu, et al., Applied Surface Science, 2017, 416: 1007-1012.
[9]F. Mu , et al., ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2017, 6(5): P227-P230.
[10]F. Mu, et al., Applied Physics Express, 2016, 9(8): 081302.
荣誉表彰
[1]2019年度教育部科技奖二等奖,纳米连接的尺寸效应及界面调控，邹贵生,刘磊,闫剑锋,林路禅,吴爱萍,沈道智,母凤文;清华大学.
[2]母凤文，日本东京大学工学院院长奖，2017年.
[3]F. Mu, et al., Feasibility study of all-SiC pressure sensor fabrication without deep etching, JIEP Poster Award in the 2018 International Conference on Electronics Packaging and iMAPS All Asia Conference, Mie, Japan, April, 2018.
[4]母凤文,藤野真久,須賀唯知,高橋良和,中澤治雄,井口研一,日本第29次电子封装学会讲演大会研究奖励赏,东京,2015.
[5]F. Mu, et al., SiC wafer bonding by modified suface activated bonding method, Best Presentation Award in the 4th IEEE International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration, Tokyo, July, 2014.
社会任职
1.国际电子封装技术大会学术委员会委员
2.日本电子封装学会功率电子研究会委员
