戴希

戴希

中科院物理研究所研究员
戴希,男,1971年7月出生于杭州,1993年毕业于浙江大学材料系,1999年在中国科学院理论物理研究所获得博士学位。1999年至2005年先后在中国香港、美国等多个高等研究机构工作,长期从事强关联理论及计算方面的研究工作。2005年回国在中科院物理研究所工作,任研究员、博士生导师。2009年任北京凝聚态物理国家实验室副主任,2017年10月加入中国香港科技大学担任教授。现任中国香港科技大学物理学系讲座教授。  [1]2018年9月当选美国物理学会会士(APS Fellow)。
  • 中文名:戴希
  • 民族:汉族
  • 出生地:浙江杭州
  • 毕业院校:浙江大学
  • 性别:男
  • 出生年月:1971年
  • 职称:中科院物理研究所研究员

人物经历

戴希,1989年9月进入浙江大学材料系学习,并于1993年7月获得工学学士学位。1993年9月至1996年1月在浙江大学物理系读研究生,并获得凝聚态物理专业的理学硕士学位。1996年3月至1999年7月在中国科学院理论物理研究所师从苏肇冰先生攻读博士学位,并于1999年5月获得理学博士学位,专业为凝聚态理论。1999年9月至2001年8月,戴希在中国香港科技大学从事博士后研究。2001年9月赴美,先后在波士顿学院(Boston College)和Rutgers大学物理系从事博士后研究工作。2004年5月回到中国香港,并在中国香港大学物理系担任研究助理教授。2006年4月回到中科院物理研究所担任研究员。  

现任中国香港科技大学物理学系讲座教授。  

学术研究

戴希一直从事强关联电子材料的第一性原理计算研究,共发表SCI论文100余篇,含Science、Nature系列、Physical Review Letters 20余篇,总引用两万余次。  

在铁基超导、拓扑绝缘体、量子反常霍尔效应和外尔半金属方面的一系列重要学术成果在国际上产生重要影响。与合作者一起发现了到2018年为止最重要的拓扑绝缘体材料体系─Bi2Se3家族,并提出了能正确描写该材料体系拓扑电子结构的低能有效模型;与合作者一起预言了在这类拓扑绝缘体薄膜中掺入磁性元素将有可能实现量子反常霍尔效应。这一系列工作被科技部评为2010年度中国科技十大新闻。2013年3月,由中科院物理所和清华大学组成的联合实验团队,经过3年的努力,终于在Cr掺杂的Bi2Te3薄膜中观测到了量子反常霍尔效应,验证了这一理论预言。2015年与合作者通过计算成功预言了以TaAs为代表的一系列重要的外尔半金属材料。  

社会荣誉

2011年获国家杰出青年基金, 同年还获得了中国科学院青年科学家奖、中国香港求是科技集体成就奖、中国青年科技奖、中国科学院杰出科技成就奖等荣誉,2012年度荣获国际华人物理与天文学亚洲学术成就奖,2014年获得中国香港周光召基金会授予的基础科学奖,2017年获得中国物理学会周培源物理奖。  

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