人物经历
1978.2－1982.1华中工学院固体电子学系本科毕业，获工学学士学位；
1982.2－1984.9华中工学院固体电子学系硕士毕业，获工学硕士学位；
1989.9－1993.11华中理工大学固体电子学系博士毕业，获工学博士学位；
1984.9－1986.10华中工学院固体电子学系助教；
1986.11－1994.5华中理工大学固体电子学系讲师；
1994.6－2000.1华中理工大学固体电子学系副教授；
1995.12－1997.6香港大学电机电子工程学系资深研究员；
1997.7－1999.6香港大学电机电子工程学系博士后研究员；
2000.2－2012.6华中科技大学电子科学与技术系教授，博导；
2012.6－华中科技大学光学与电子信息学院教授，博导。
研究方向
先进的小尺寸CMOS集成器件原理、结构、工艺及建模/模拟(The principle, structure, process and modeling/simulation of advanced small-size CMOS devices)；
二维层状半导体材料及纳电子/光电子器件
新型非挥发性半导体存储器
主讲课程
光学与电子信息。
主要成就
科研成就
近几年来（2001-2008），作为访问教授每年赴香港大学从事2-3个月的合作研究。九四年晋升为副教授，二000年二月晋升为教授，二00二年六月被评聘为博士生导师。自一九八四年以来，一直从事微电子器件、物理、工艺以及集成技术方面的教学与研究工作。作为负责人主持国家自然科学基金项目两项，徐静平教授已完成国家自然科学基金项目三项、教育部骨干教师基金一项、湖北省自然科学基金两项以及国际合作项目三项。
率先在国际上提出了采用N2O和NO直接热氧化法制备SiC MOS器件栅氧化物以及采用NH3进行表面钝化处理的先进技术，获得了SiC/SiO2界面质量和器件可靠性的极大改进；提出并采用湿氮或湿NO退火技术制备高k栅介质Ge基MOS器件，获得好的高k介质/Ge界面特性。有关成果在IEEE EDL、Appl Phys Lett.等重要国际期刊上发表,多次被同行专家引用。在国际国内重要期刊杂志上共发表学术论文80余篇（其中国际期刊40余篇），被SCI收录38篇，EI收录35篇。
国家自然科学基金，湖北省自然科学基金评委；Microelectronics Reliability、物理学报、中国物理（英文）；半导体学报审稿人。
获奖情况
2019湖北省自然科学奖三等奖
2014Nature Index: 2014 China: 对学校自然指数的突出贡献
